1、常见的半导体材料有如下：锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。

【资料图】

2、除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

3、半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

4、此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。

5、此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

6、半导体材料的特点及优势半导体材料是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的电子材料。

7、常用的重要半导体的导电机理是通过电子和空穴这两种载流子来实现的，因此相应的有N型和P型之分。

8、半导体材料通常具有一定的禁带宽度，其电特性易受外界条件(如光照、温度等)的影响。

9、不同导电类型的材料是通过掺入特定杂质来制备的。

10、杂质(特别是重金属快扩散杂质和深能级杂质)对材料性能的影响尤大。

11、因此，半导体材料应具有很高的纯度，这就不仅要求用来生产半导体材料的原材料应具有相当高的纯度，而且还要求超净的生产环境，以期将生产过程的杂质污染减至最小。

12、半导体材料大部分都是晶体，半导体器件对于材料的晶体完整性有较高的要求。

13、此外，对于材料的各种电学参数的均匀性也有严格的要求。

14、锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

15、半导体具有一些特殊性质。

16、如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

17、半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。

18、利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

19、把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。

20、图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。

21、中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。

22、下边部分为PN结的形成。

23、表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

24、锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

25、半导体具有一些特殊性质。

26、如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

27、半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。

28、利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

29、把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。

30、图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。

31、中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。

32、下边部分为PN结的形成。

33、表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

34、aqui te amo。

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